澳门永利总站注册送38-首页(歡迎您)


一、团队简介

功能晶体材料团队成立于2008年,现有固定研究人员19人,特聘专家2人。固定科研人员中省部级人才专家2人,正高级人员4人,副高级人员6人,中级职称人员8人;具有博士学位15人,硕士3人,是一支专业结构科学、年龄结构合理、学科背景多样化、研究经验丰富的创新型科研团队。

团队主要从事光学功能晶体材料和宽禁带半导体材料的生长、加工及器件研究,研究领域涉及电光晶体、线性光学晶体以及宽禁带半导体材料,在二次电光晶体材料和宽禁带半导体材料研究方面形成突出特色。团队致力于功能晶体材料的应用基础和关键共性技术研究,建设集晶体生长、制备表征、器件设计及应用推广于一体的科技成果辐射基地和科技人才培养基地。

近年来团队主持承担国家863项目1项,国家自然基金项目14项,省部级项目26项,横向项目2项,国家重点实验室开放课题4项;研究团队在Advanced MaterialsAngewandte Chemie International Edition等国际权威期刊发表SCIEI收录论文280余篇,有多篇论文被Nature ChinaNature Materials等作为亮点进行评论;获山东省自然科学奖二等奖1项,中国建材科技奖(自然科学类)二等奖2项,山东省高校科研成果奖一、二、三等奖奖各1项。申报国家专利54项(授权40项),其中GaN单晶生长及加工相关发明专利实现了成果转化,转让费用2000万元。

二、团队负责人介绍

郝霄鹏,工学博士,教授,博士生导师。获教育部2007年度新世纪优秀人才。主要从事宽禁带半导体晶体的生长、加工及器件研究。作为项目负责人先后承担了国家863项目、国家自然科学基金、教育部重点项目、山东省自然科学重大基础研究等项目;另外,作为主要骨干参与了国家创新研究群体、国家973项目等研究工作。在Adv.mater., Angew.Chem.Int.Ed., Adv.Funct.Mater.等学术期刊上发表论文180余篇,论文他引近3500次;获授权发明专利30余项,其中GaN单晶生长相关发明专利实现了科技成果转化。

王旭平,工学博士,研究员,博士生导师,山东省有突出贡献中青年专家,山东省优秀科技工作者。主要从事光学功能晶体材料的设计制备、测试表征及光电子器件的研发工作。近年来主持国家自然基金3项、省重大科技创新工程2项、其它省市级课题10余项;发表SCI/EI收录论文100余篇;授权国家发明专利9项;先后荣获山东省自然科学奖、省教育厅高校科研成果奖、山东省科学院科学技术奖、中国建筑材料联合会·中国硅酸盐学会建材科技奖等。

三、团队成员名单

   序号

姓名

职称

研究方向

1

郝霄鹏

教授

宽禁带半导体单晶生长及性能研究晶体制备及应用

2

王旭平

研究员

电光晶体材料制备及应用

3

吴拥中

教授

宽禁带半导体单晶生长及性能研究

4

刘冰

研究员

电光晶体制备及光电功能器件设计

5

邵永亮

副教授

氮化物宽禁带半导体晶体研究

6

张园园

副研究员

激光晶体及无铅压电晶体

7

杨玉国

副研究员

荧光材料

8

吕宪顺

副研究员

二阶非线性晶体及无铅压电晶体

9

魏磊

副研究员

微纳尺度传热

10

徐小龙

副教授

半导体晶体材料性能研究

11

胡海啸

讲师

氮化镓单晶生长和加工

12

艾子政

讲师

氮化物半导体材料性能研究

13

杨铭志

讲师

氮化铝单晶生长和加工

14

张华迪

助研

光学晶体掺杂特性机理

15

张锐

助研

光电器件

16

禹化健

助研

晶体生长

17

邱程程

助研

薄膜材料

18

石强

助研

有机化学

19

陈芙迪

技术员

晶体加工

 

四、国家及省部级项目10项)  

1. 国家自然科学基金重大项目子课题,微结构材料中声子的调控及其在超导量子芯片中的应用(11893070014),2019.01-2023.12

2. 国家自然科学基金面上项目水热法制备高均匀性KTN晶体及其抗光伤性能研究(52072189),2021.01-2024.12

3. 国家自然科学基金面上项目,低应力低位错密度4英寸GaN单晶的HVPE生长研究(51872162)2019.01-2022.12

4. 国家自然科学基金面上项目基于空间电荷控制KTa1-xNbxO3晶体电光偏转关键问题研究(51972179),2020.01-2023.12

5. 国家自然科学基金面上项目,新型衬底上高质量GaN单晶的HVPE生长及自剥离研究(51572153)2016.01-2019.02

6. 国家自然科学基金专项基金项目,GaN体单晶生长基础研究(50823009)2009.01-2012.027.

7. 国家自然科学基金面上项目,具有梯度折射率效应的二次电光晶体M:KTN的生长制备和激光调制研究(51672164),2017.01-2020.12

8. 国家自然科学基金青年科学基金项目,利用EBSD技术研究异质外延GaN单晶的缺陷和应力(51602177),2017.01-2019.12

9. 山东省重点研发计划(重大科技创新工程)新型二次电光材料钽铌酸钾系列晶体的制备及应用技术研究(2018CXGC0412),2018.01-2020.12

10. 山东省自然科学基金重点项目  基于KTN晶体二次电光效应与空间电荷效应的激光偏转调制关键技术研究(ZR2020KE019),2021.01-2023.12

五、论文代表作   

1.      Chang Li, Xuping Wang, Yang Wu, Fei Liang, Feifei Wang, Xiangyong Zhao, Haohai Yu and Huaijin ZhangThree-dimensional nonlinear photonic crystal in naturally grown potassium–tantalate–niobate perovskite ferroelectricsLight: Science & Applications, 2020, 9, 193. https://doi.org/10.1038/s41377-020-00427-z

2.      Haixiao Hu, Bin Chang, Xiucai Sun, Qin Huo, Baoguo Zhang, Yanlu Li, Yongliang Shao*, Lei Zhang, Yongzhong Wu, Xiaopeng Hao*, Intrinsic Properties of Macroscopically Tuned Gallium Nitride Single-Crystalline Facets for Electrocatalytic Hydrogen Evolution, CHEMISTRY-A EUROPEAN JOURNAL, 2019, 25(44), 10420-10426, https://onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/chem.201901395

3.      Shouzhi Wang, Lili Li, Yongliang Shao, Lei Zhang, Yanlu Li*, Yongzhong Wu, Xiaopeng Hao*, Transition‐Metal Oxynitride: A Facile Strategy for Improving Electrochemical Capacitor Storage, Adv. Mater., 2019, 1806088, https://doi.org/10.1002/adma.201806088

4.      Shouzhi Wang, Lei Zhang, Changlong Sun, Yongliang Shao, Yongzhong Wu, Jiaxin Lv, Xiaopeng Hao*, Gallium Nitride Crystals: Novel Supercapacitor Electrode Materials, Adv. Mater., 2016, 28, 3768-3776, https://doi.org/10.1002/adma.201600725

5.      Zhang Lei, Li Xianlei, Shao Yongliang, Yu Jiaoxian, Wu Yongzhong, Hao Xiaopeng*, Yin Zhengmao, Dai Yuanbin, Tian Yuan, and Huo Qin, Improving the quality of GaN crystals by using graphene or hexagonal boron nitride nanosheets substrate, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2015, 7(8), 4504-4510, https://pubs.acs.org/doi/10.1021/am5087775. (Nature Materials 选入 research highlights进行点评 )

6.     Xuping Wang, Bing Liu, Yuguo Yang, Yuanyuan Zhang, Xianshun Lv, Guanglie Hong, Rong Shu, Haohai Yu,and Jiyang Wang, Anomalous laser deflection phenomenon based on the interaction of electro-optic and graded refractivity effects in Cu-doped KTa1xNbxO3 crystal, Applied Physics Letters, 2014, 105, 051910. doi: 10.1063/1.4892663

7.     Xianlei Li, Xiaopeng Hao*, Mingwen Zhao*, Yongzhong Wu, Jiaxiang Yang, Yupeng Tian and Guodong Qian, Exfoliation of Hexagonal Boron Nitride by Molten Hydroxides, Adv. Mater. 2013, 25, 2200–2204, https://doi.org/10.1002/adma.201204031

8.     Bing Liu, Xin-en Zhang, Yu-guo Yang, Xian-shun Lv, Lei Wei,Xu-ping Wang, Yuan-yuan Zhang , Jian-hua Xu, Ji-yang Wang, Influence of copper oxide on properties of potassium tantalate niobate single crystals, Ceramics International, 2016, 42, 15091–15093. http://dx.doi.org/10.1016/j.ceramint.2016.06.058

9.     Lei Wei, Xianshun Lv, Yuguo Yang, Jianhua Xu, Huajian Yu,  Huadi Zhang, Xuping Wang, Bing Liu, Cong Zhang, Jixue Zhou, Theoretical Investigation on the Microscopic Mechanism of Lattice Thermal Conductivity of ZnXP 2 (X = Si, Ge, and Sn), Inorganic Chemistry, 2019, 58, 4320−4327. doi:10.1021/acs.inorgchem.8b03421

10.  Xiang-Gang Zuo, Yi Wang, Lei Wei, Xian-Shun Lv, Yang-Bin Fu, Jing Li, Yuan-Yuan Zhang, Xu-Ping Wang, Bing Liu and Yu-Guo Yang, Luminescence properties and energy transfer of La3Ga5SiO14:Eu3+, Tb3+ phosphors, CrystEngComm, 2021, 23, 4194. doi:10.1039/d1ce00487ersc.li/crystengcomm

六、授权专利代表作

1.    郝霄鹏,王国栋,张雷,吴拥中,邵永亮,一种用于氮化铝单晶生长的籽晶粘接方法,ZL 201910015993.2

2.    王旭平,马玲,刘冰,邱程程,王继扬。一种基于四方相钽铌酸钾晶体的低电压驱动电光调Q开关,ZL201810310925.4

3.    邱程程,王旭平,刘冰,户延延,禹化健,马玲,张琮.一种高介电常数钽铌酸钾晶体制备方法  ZL201910348502.6

4.    郝霄鹏,张保国,邵永亮,吴拥中,霍勤,胡海啸,一种水热腐蚀多孔衬底生长自支撑氮化镓单晶的方法,ZL 201710601044.3

5.    吕宪顺,张园园,邱程程,王旭平,刘冰,杨玉国,一种硼酸盐拉曼晶体及其制备方法和用途  ZL201710385219.1

6.    邱程程,刘冰,王旭平,张园园,吕宪顺,杨玉国,一种新型晶片研磨抛光机  ZL 201721552968.03.

7.    王旭平,刘冰,张园园,吕宪顺,杨玉国,魏磊具有梯度折射率效应的二次电光晶体及其制备与应用方法,ZL201510734429.8

8.    郝霄鹏,田媛,邵永亮,吴拥中,张雷,戴元滨,霍勤,在SiC衬底上直接生长自剥离GaN单晶的方法, ZL 201410113538.3

9.    郝霄鹏,李先磊,张雷,邵永亮,吴拥中,戴元滨,田媛,霍勤,利用六方氮化硼纳米片生长高质量氮化镓晶体的方法,ZL 201410024671.1

10. 吴拥中,尹正茂,郝霄鹏,谢政,刘春艳,刘晓燕,徐现刚,一种白光LED及其制备方法,ZL 201310032685.3